沈陽EDI超純水設(shè)備,沈陽單晶硅超純水設(shè)備,沈陽電子工業(yè)用超純水設(shè)備

EDI簡介
    EDI(Electro-de-ionization,continuouselectro-de-ionzation)又被稱為CDI和連續(xù)電除鹽。該技術(shù)是二十世紀(jì)八十年代以來逐漸興起的新技術(shù)。經(jīng)過十幾年的發(fā)展EDI在歐美等國己普遍使用，且占據(jù)了相當(dāng)部分的超純水市場。在國內(nèi)此項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用在起步階段,有蓬勃發(fā)展的態(tài)勢。EDI廣泛地應(yīng)用于電子、電力、生物、制藥、化工等諸多領(lǐng)域，是傳統(tǒng)離子交換混床工藝的最佳取代技術(shù)。EDI的出現(xiàn)是水處理技術(shù)的一次革命性的進(jìn)步，標(biāo)志著水處理工業(yè)全面跨入綠色產(chǎn)業(yè)的行列。   
沈陽EDI超純水設(shè)備,沈陽單晶硅超純水設(shè)備,沈陽電子工業(yè)用超純水設(shè)備
 
EDI工作原理
    EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰/陽離子交換膜之間形成EDI單元。EDI組件中將一定數(shù)量的EDI單元間用網(wǎng)狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設(shè)置陰/陽電極。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進(jìn)入到濃水室而在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統(tǒng),成為濃水。 EDI設(shè)備一般以反滲透（RO）純水作為EDI給水。RO純水電阻率一般是40-2μS/cm(25℃)。EDI純水電阻率可以高達(dá)18 MΩ.cm(25℃)，但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設(shè)置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18.2MΩ.cm(25℃)的純水。
    EDI技術(shù)被制藥工業(yè)、微電子工業(yè)、發(fā)電工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室所普遍接受。在表面清洗、表面涂裝、電解工業(yè)和化工工業(yè)的應(yīng)用也日趨廣泛。
 
EDI技術(shù)是水處理工業(yè)的革命
與傳統(tǒng)的離子交換（DI）相比，EDI所具有的優(yōu)點(diǎn)：
1.EDI無需化學(xué)再生
2.EDI再生時不需要停機(jī)。
3.提供穩(wěn)定的水質(zhì)。
4.能耗低。
5.操作管理方便，勞動強(qiáng)度小。
6.運(yùn)行費(fèi)用低。
7.利用反滲透技術(shù)進(jìn)行一次除鹽，再用EDI技術(shù)進(jìn)行二次就可以徹底使純水制造過程連續(xù)化避免使用酸堿再生。
 
EDI過程     
 
    一般城市水源中存在的鈉，鈣，鎂，氯化物，硝酸鹽，碳酸氫鹽等溶解物。這些化合物由帶負(fù)電荷的陰離子和帶正電荷的陽離子組成。通過反滲透（RO）的處理，98%以上的離子可以被去除。RO純水（EDI給水）電阻率的一般范圍0.05-1.0MΩ·CM，即電導(dǎo)率的范圍為20-1μS/CM。 根據(jù)應(yīng)用的情況，去離子水電阻率的范圍一般為1-18.2 MΩ·CM。另外，原水中也可能包括其它微量元素，溶解的氣體（例如CO2）和一些弱電解質(zhì)（例如硼，二氧化硅），這些雜質(zhì)在工業(yè)除鹽水中也必須被除掉。但是反滲透過程對于這些雜質(zhì)的清除效果較差。 離子交換膜和離子交換樹脂的工作原理相近，可以使特定的離子遷移。
    陰離子交換膜只允許陰離子透過，不允許陽離子透過；而陽膜只允許陽離子透過，不允許陰離子透過。在一對陰陽離子交換膜之間充填混合離子交換樹脂就形成了一個EDI單元。陰陽離子交換膜之間由混合離子交換樹脂占據(jù)的空間被稱為淡水室。將一定數(shù)量的EDI單元羅列在一起，使陰離子交換膜和陽離子交換膜交替排列，并使用網(wǎng)狀物將每個EDI單元隔開，形成濃水室。在給定的直流電壓的推動下，在淡水室中，離子交換樹脂中陰陽離子分別在電場作用下向正/負(fù)極遷移，并透過陰陽離子交換膜進(jìn)入濃水室，同時給水中的離子被離子交換樹脂吸附而占據(jù)由于離子電遷移而留下的空位。事實(shí)上離子的遷移和吸附是同時并連續(xù)發(fā)生的。通過這樣的過程，給水中的離子穿過離子交換膜進(jìn)入到濃水室被去除而成為除鹽水。 
沈陽EDI超純水設(shè)備,沈陽單晶硅超純水設(shè)備,沈陽電子工業(yè)用超純水設(shè)備
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