科研實驗專用二氧化硅靶材SiO2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

二氧化硅（SiO2）常溫下為固體，不溶于水，是酸性氧化物，不跟一般酸反應(yīng)，但溶于氫氟酸及熱濃磷酸，能和熔融堿類起作用。自然界中存在有結(jié)晶二氧化硅和無定形二氧化硅兩種。結(jié)晶二氧化硅因晶體結(jié)構(gòu)不同，分為石英、鱗石英和方石英三種。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的
原料，是科學(xué)研究的重要材料。

二氧化硅（SiO2）濺射靶可用于半導(dǎo)體，化學(xué)氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）顯示器和光學(xué)應(yīng)用。
二氧化硅（SiO2）的其他形狀濺射靶材：圓盤，平板，柱子靶，臺階靶，定制
包裝：二氧化硅（SiO2）濺射靶是真空密封的。
       產(chǎn)品參數(shù)
中文名 二氧化硅       化學(xué)式 SiO2          熔點 1650±50℃
分子量 60.084          密度2.2 g/cm3      沸 點 2230℃
純度 99.99%
支持靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價！！ 
服務(wù)項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質(zhì)量保證，售后無憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 
質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
        陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。