科研實驗專用碲化鍺靶材GeTe磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

碲化鍺晶體可用作紅外光發(fā)射和探測材料。周期表第W， 族元素化合物半導體。 離子性晶體。三角晶系面心結構，熔點724 C' 。為直接帶隙半導體，采用熔化再結品法制備。

產(chǎn)品參數(shù)
中文名 碲化鍺   化學式   GeTe
熔點 725℃        密度 6.14g/ml
支持靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價??！ 
服務項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制?？蒲袉挝回浀礁犊睿|(zhì)量保證，售后無憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設備 
質(zhì)量控制：嚴格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質(zhì)檢報告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
       陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。