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深圳市華科智源科技有限公司

igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

普通會(huì)員

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SIC模塊測(cè)試儀

產(chǎn)品價(jià)格1.00元/件

產(chǎn)品品牌華科智源

最小起訂≥1 件

供貨總量20 件

發(fā)貨期限自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨

瀏覽次數(shù)37

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更新日期2024-10-29 17:33

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聯(lián) 系  人:陳少龍(先生)  

聯(lián)系固話:

聯(lián)系地址:深圳市寶安區(qū)航城街道恒豐工業(yè)城C 4棟816

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商品信息

基本參數(shù)

品牌:

華科智源

所在地:

廣東 深圳市

起訂:

≥1 件

供貨總量:

20 件

有效期至:

2025-10-28

設(shè)備尺寸:

500(寬)x 450(深)x 250(高)mm

質(zhì)量:

30kg

型號(hào):

HUSTEC-1600A-MT
詳細(xì)說(shuō)明

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備

 

 

 

一:SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備主要特點(diǎn)

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;

 

SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備測(cè)試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用。

 

二:華科智源SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備應(yīng)用范圍

A:IGBT單管及模塊,

B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)

 

三、華科智源SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備特征:

A:測(cè)量多種IGBT、MOS管

B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測(cè)試范圍廣;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測(cè)量精度2mV

E:Vce測(cè)量范圍>10V    

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護(hù)被測(cè)量器件

H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測(cè)試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障)

L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比,觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;

 

序號(hào)

測(cè)試項(xiàng)目

描述

測(cè)量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向?qū)▔航?/p>

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向?qū)娏?/p>

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

3

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

6

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV

 

 


 


 


 


 

 

測(cè)試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用

 

1) 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

質(zhì)量:30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度:海拔不超過(guò) 1000m;

儲(chǔ)存環(huán)境:-20℃~50℃;

工作環(huán)境:15℃~40℃。

相對(duì)濕度:20%RH ~ 85%RH ;

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

防護(hù):無(wú)較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;

3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

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