真空室結(jié)構(gòu):1個(gè)中央傳輸室：蝶形結(jié)構(gòu)；3個(gè)沉積室：方形結(jié)構(gòu)；1個(gè)進(jìn)樣室：方形結(jié)構(gòu)。

　　真空室尺寸:中央傳輸室：Φ1000×280mm；沉積室：260×260×280mm。

　　進(jìn)樣室：300×300×300mm。

　　極限真空度:中央傳輸室：6.67E-4Pa；沉積室：6.67E-6Pa；進(jìn)樣室：6.67Pa。

　　沉積源:樣品尺寸。

　　氣相薄膜沉積系統(tǒng)PECVD的溫度:114X114X3mm，加熱溫度350度，機(jī)械手傳遞樣品。

　　占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約13米x9米x2.3米（設(shè)計(jì)待定）。

　　電控描述:全自動(dòng)。

　　工藝:在80X80mm范圍內(nèi)硅膜的厚度均勻性優(yōu)于±5%。

　　特色參數(shù):共有8路工作氣體。

　　氣相薄膜沉積系統(tǒng)PECVD產(chǎn)品概述：系統(tǒng)主要由3個(gè)真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個(gè)進(jìn)樣室、1個(gè)中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺(tái)、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。

　　設(shè)備用途：團(tuán)簇型等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在光學(xué)玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制備非晶硅、微晶硅薄膜太陽(yáng)能電池器件。

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